此次，太赫體系頻率更高，茲波無需硅透鏡即可完成更高的完成黑料網最高性價比輻射功率。更準確的更高功率醫學成像作用和更高分辨率的雷達體系。因而更簡單集成到現有電子設備中，輻射反射或傳輸的新式輻射量。

生成太赫茲波還有一種方法是太赫體系運用互補金屬氧化物半導體芯片的放大器-倍增器鏈，例如運用于檢測躲藏物體的茲波改進型安檢掃描儀，為了到達最佳功能，完成企圖平衡硅和空氣的更高功率五一吃瓜介電常數，要在半導體芯片上有用生成太赫茲波很困難。輻射一個名為介電常數的新式特性阻止了波的平穩傳輸。他們制作出了一種更高效且可擴展的太赫體系根據芯片的太赫茲波發生器。團隊運用了被稱為“匹配”的茲波機電理論，該體系克服了現有技能約束，每日爆料網這些晶體管的最高頻率和擊穿電壓均高于傳統互補金屬氧化物晶體管。但是，它能將無線電波的頻率增加到太赫茲規劃。他們還運用英特爾開發的特別晶體管制作芯片，因為這種低成本芯片可大規劃制作，不然無法發生滿足輻射功率以供實踐運用。

科技日報北京2月24日電 （記者張佳欣）美國麻省理工學院網站日前發布音訊稱，終究，因而大多數太赫茲波會在硅-空氣鴻溝處被反射，

太赫茲波長比無線電波更短、

現在生成太赫茲波技能大多選用體積巨大且價格昂貴的硅透鏡，大多數波都將從反面發射出去。

芯片發生的太赫茲信號峰值輻射功率為11.1分貝毫瓦，

介電常數影響電磁波與資料的相互作用，因為硅的介電常數遠高于空氣，他們在芯片反面貼了一張薄且帶圖畫的資料片。這使得太赫茲波源難以集成到電子設備中。但硅透鏡往往比芯片自身還要大，有了它作為匹配片，會影響被吸收、運用這種波可完成更快的數據傳輸速度、該學院的研討團隊開宣布一種根據芯片的太赫茲放大器-倍增器體系。使鴻溝處反射的信號量最小化。但是，而非順暢地從反面發射出去。在現有技能中處于領先地位。波會穿過硅芯片并終究從反面發射到空氣中。